NVTFS5116PLTWG

包装
带卷（TR）
系列
-
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
6A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
52 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
1258pF @ 25V
功率 - 最大值
3.2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘
产品简介说明
MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
产品描述备注
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