FQN1N50CTA

包装
带盒（TB）可替代的包装
系列
QFET?
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压 (Vdss)
500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）
380mA （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）
6 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
6.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
195pF @ 25V
功率 - 最大值
890mW
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
产品简介说明
MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
产品描述备注

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