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NP100P04PDG-E1-AY

  • 厂家：Renesas Electronics America
  • 封装：TO-263
  • 批号：新批号
  • 数量：6500
  • 价格：来电咨询
  • 类型：FET - 单
  • PDF：NP100P04PDG-E1-AY
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NP100P04PDG-E1-AY

  • 包装

    带卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 类型

    MOSFET P 通道，金属氧化物

  • FET 功能

    逻辑电平门

  • 漏源极电压 (Vdss)

    40V

  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）

    100A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）

    3.5 毫欧 @ 50A，10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 1mA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

    320nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

    15100pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    1.8W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

  • 产品简介说明

    MOSFET P-CH -40V MP-25ZP/TO-263

  • 产品描述备注

    全新原装正品 更多产品请登录 www.szhdydz.com

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